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BSP135 L6433 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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BSP135 L6433詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223
系列:SIPMOS®
制造商:Infineon Technologies
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:耗盡模式
漏極至源極電壓333Vdss444:600V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:120mA
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:45 歐姆 @ 120mA,10V
Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 94µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:4.9nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:146pF @ 25V
功率_最大:1.8W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA
供應商設備封裝:PG-SOT223-4
包裝:帶卷 (TR)

BSP135 L6433詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223
系列:SIPMOS®
制造商:Infineon Technologies
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:耗盡模式
漏極至源極電壓333Vdss444:600V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:120mA
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:45 歐姆 @ 120mA,10V
Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 94µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:4.9nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:146pF @ 25V
功率_最大:1.8W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA
供應商設備封裝:PG-SOT223-4
包裝:Digi-Reel®

BSP135 L6433詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223
系列:SIPMOS®
制造商:Infineon Technologies
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:耗盡模式
漏極至源極電壓333Vdss444:600V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:120mA
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:45 歐姆 @ 120mA,10V
Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 94µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:4.9nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:146pF @ 25V
功率_最大:1.8W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA
供應商設備封裝:PG-SOT223-4
包裝:剪切帶 (CT)

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